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晶能成功制備硅襯底紅光Micro LED,全彩化關鍵突破!

來源:投影時代 更新日期:2021-09-11 作者:pjtime資訊組

    日前,晶能光電成功制備了紅、綠、藍三基色硅襯底GaN基Micro LED陣列,在Micro LED全彩芯片開發上前進了關鍵一步。

    微米尺寸的MicroLED制備已經脫離了普通LED工藝而進入了IC制程。大尺寸硅襯底GaN晶圓具有低成本、兼容IC制程、易于襯底剝離等核心優勢,已成為Micro LED制備的主流技術路線。在國際上,Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等公司都在專注于硅襯底Micro LED開發。主要消費電子產業巨頭更是在這一領域投入大量資源,以期在AR、VR等可穿戴設備的巨大市場中拔得頭籌。

    Micro LED走向大規模應用要求高良率和高光效的紅綠藍三基色Micro LED芯片。目前綠光和藍光的GaN材料體系已經成熟,并滿足Micro LED制程開發的要求。但對于紅光Micro LED,傳統的紅光AlInGaP體系因為其材料較脆和側壁上非輻射復合嚴重,面臨著良率和光效兩方面的重大技術瓶頸。所以,開發InGaN基紅光LED,特別是大尺寸硅襯底上InGaN基紅光LED被業界寄以厚望。

    晶能光電的芯片總監黃濤介紹,本次報道的硅襯底InGaN紅、綠、藍Micro LED陣列的像素點間距為25微米,像素密度為1000PPI,在10A/cm2電流密度下的峰值波長分別為650nm、531nm、和445nm。InGaN紅光芯片的外量子效率(36mil,650nm峰值波長)為3.5%,EL的半高寬為70nm。晶能光電這一成果發布,標志其成為國內首家實現硅襯底GaN基三基色Micro LED的生產企業。

圖為晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列.jpg

圖為硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列

    晶能光電外延副總裁付羿表示,晶能光電是全球最大的硅襯底GaN基LED生產企業,十余年來持續引進人才以保證硅襯底GaN產業技術升級迭代。目前晶能光電的硅襯底GaN基LED產品已經覆蓋了從365nm到660nm的可見光范圍,并且實現了優秀的量產良率、波長集中度、光效、和可靠性。2018年,晶能光電開始硅襯底Micro LED開發。付羿表示,晶能非常重視硅襯底GaN基Micro LED在AR/VR產業上的巨大應用前景,但必須要持續努力去解決諸如InGaN紅光光效、發光半高寬、和最終的全彩化方案等關鍵問題,而且需要整個產業鏈的協同,才能實現Micro LED顯示技術的規模應用。

圖為晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜.png

圖為硅襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜

圖為晶能光電展示的36mil尺寸硅襯底GaN基紅光LED光譜.png

圖為硅襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜

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